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v 主要功能：快速熱退火，快速熱氧化，快速熱氮化，擴散，化合物半導體退火，離子注入后退火，電極合金化等
v 樣片尺寸：8inch，向下兼容，支持不規整樣品退火
v 退火溫度范圍：室溫~1200 ℃。
v 室溫到1000度，升溫速率120 ℃/second
v 全程熱電偶測溫，不使用高溫計，無需額外校準
v 退火溫度的重復性、準確性± 1 ℃
v 兩路工藝氣體，MFC流量計控制，流量為0-5NLM
v 可通入氮氣、氧氣，可以分別通入或者通入混合氣體
v 可選擇真空退火模式，真空度可達10^-6hpa
v 配置前級泵，抽速3L/s,極限壓力4*10-2pa
v SPS SIMATIC 軟件控制工藝過程，可編程序不少于50個，且每個程序可編程步驟不少于50步
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化學氣相沉積MOCVD
